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フラッシュメモリ

フラッシュメモリ

3Aデータ復旧スタッフ用語集
ハードディスクが4,980円

フラッシュメモリとは、電気的にデータを書き換えることが可能で、電力を供給しなくてもデータを保持することができる不揮発性の半導体メモリの一種である。
不揮発性の半導体メモリとしてはEEPROMが先立って開発されており、フラッシュメモリはこのEEPROMの改良によって登場した記憶媒体である。
EEPROMとフラッシュメモリの主な違いは、EEPROMはデータをバイト単位で書き換えるが、フラッシュメモリは数十キロバイト程度のデータを「ブロック」の単位でまとめて扱うという点である。
フラッシュメモリのデータを書き換える場合、当該データだけでなく、当該データを含むブロックを消去する必要があるが、フラッシュメモリはデータの消去に必要な装置をブロックごとに共有できるため、単位容量あたりの回路構成を簡素化することができる。
このため、製造コストの低下と面積あたりの記憶容量の大容量化が実現される。
フラッシュメモリは回路構造によって「NAND型フラッシュメモリ」と「NOR型フラッシュメモリ」に区分される。
NAND型フラッシュメモリは書き込みが高速で、大容量化しやすいという特徴があり、NOR型フラッシュメモリは読み込みが高速であり、信頼性が高いという特徴がある。
SSDUSBメモリのように価格とデータの書き込みに重点が置かれる記憶媒体にはNAND型フラッシュメモリが多く用いられ、電子機器の制御プログラム(ファームウェア)のように書き込みよりも読み出しに重点が置かれる記憶媒体にはNOR型フラッシュメモリが多く用いられている。

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